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PACVD - Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition

CVD se puede definir como la formación de una película fina sólida por deposición atómica o molecular, sobre una superficie calentada, siendo el sólido originario de una reacción química donde los precursores están en la fase de vapor. Las especies depositadas son átomos o moléculas o combinación de éstos.

El proceso de PACVD se produce a temperaturas más bajas que el proceso tradicional de CVD, debido a que el plasma y no la energía térmica es usado para iniciar la reacción.

El procedimiento de CVD se distingue del proceso de PVD en el hecho de que todos los materiales que originan la película están en la fase gaseosa, mientras que en el PVD por lo menos uno de ellos está en fase sólida (generalmente un metal).

 

 

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